[ 關於英特磊 ]
豐富的MBE磊晶成長經驗，結合專利的智慧型即時監控系統，使IntelliEPI獲得客戶的肯定，以參與尖端技術研發，提升技術，領先群倫。
英特磊科技由高永中博士率領曾服務於德州儀器公司(TI)，美國太空總署(NASA)，及貝爾實驗室等科技菁英，以Intelligent Epitaxy Technology Inc. 為名，於1999成立於美國達拉斯。
以多年累積的分子束磊晶(MBE)成長經驗技術，從事化合物半導體磊晶片製造之代工服務。
目前公司主要產品為砷化鎵(GaAs)微電子磊晶片，磷化銦(InP)微電子磊晶片，銻化鎵紅外線材料及磊晶片(GaSb)，光電元件磊晶片（VCSEL， PIN， APD， laser） 廣泛應用於無線通訊，衛星通訊，光纖通訊，夜視鏡，保全監控，太空，軍事，生物醫學，資料傳輸，雲端試算，資料儲存等應用。其中多項產品均與世界頂尖公司從事尖端技術開發，公司營收也逐年穩定成長。
公司於 2011改組成立IntelliEPI Inc.(Cayman)為控股公司，Intelligent Epitaxy Technology Inc.則為美國子公司，另外同時成立美國、日本孫公司，以強化客戶服務，降低材料採購成本，朝向全球化、全方位發展，以尖端科技材料製造服務領導者爲業界做出貢獻。
| 日期 | 集團及公司沿革之重要記事 |
| 1999年 1月 | IET-US開始營業, 主要營業項目為高附加值假型高電子遷移電晶體(pHEMT), 異質接面雙極電晶體(HBT), 以及用於光纖通訊之磊晶片 |
| 2000年 8月 | Vitesse Semi公司使用IET-US成長之4吋磷化銦磊晶片, 成功生產出第一顆商用積體電路 |
| 2001年 6月 | IET-US建置新廠房於Richardson, Texas, USA |
| 2002年 2月 | IET-US榮獲2001/2002年間世界最大的III-V半導體公司, Vitesse Semi公司, 頒發2001年度最佳供應商獎(其後於2002, 2003, 2004年亦獲此殊榮) |
| 2003年 9月 | IET-US建置世界最大之多晶圓量產型分子束磊晶機台(MBE, 7片x6吋晶圓),達到月產能10,000片4吋磊晶片 |
| 2004年 7月 | IET-US成功通過M/A-COM公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為合格供應商 |
| 2006年 5月 | IET-US成功通過A公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為唯一的合格供應商 |
| 2007年 2月 | IET-US獲得ISO 9001- 2000品質管理系統認證 |
| 2009年 1月 | IET-US榮獲美國政府計劃以分子束磊晶(MBE)技術開發III-V半導體紅外線偵測磊晶結構 |
| 2009年 4月 | IET-China成功做出銻化鎵/銻化銦磊晶等級基板提供母公司以MBE成長紅外線磊晶片 |
| 2009年12月 | IET-US成功以分子束磊晶(MBE)技術成長III-V半導體紅外線偵測磊晶結構 |
| 2010年10月 | 成立IET-Japan以服務主要客戶 |
| 2010年10月 | IET-US榮獲美國政府計劃以開發尖端銻化鎵紅外線偵測磊晶結構於大尺寸基板 |
| 2011年 1月 | IET-US榮獲2010年世界最大的III-V半導體整合設計製造公司A公司，頒發2010年度最佳供應商獎(假型高電子遷移電晶體(pHEMT)準時供應，零缺點，優良客戶支援服務) |
| 2011年 3月 | IET-US MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過14GHz可靠度測試 |
| 2011年 4月 | 成立本公司作為集團之控股公司 |
| 2011年 7月 | IET-US承租在Allen, Texasㄧ個大面積無塵室做為二廠之用，並成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒 |
| 2011年 9月 | IET-China也成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒 |
| 2012年 5月 | 與H公司簽訂長期供貨合約 |
| 2012年 6月 | MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過28GHz可靠度測試 |
| 2013年 7月 | 本公司於台灣第一上櫃 |
| 2013年 8月 | 成功自行開發銻化鎵基板拉晶、研磨、拋光技術 |
| 2013年12月 | 與法商Soitec簽署合作協議，包含技術授權及生產機台的轉讓 |
| 2014年 2月 | IET-US承租在Richardson, Texas三廠作為新基板材料開發之用 |
| 2014年 7月 | 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債 |
| 2014年 9月 | IET-US簽署並完成與法國SOITEC公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約 |
| 2014年 9月 | IET-US購買位於美國德州Allen市用於增建廠房土地 |
| 2014年11月 | IET-US簽署並完成與A公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約 |
| 2015年 1月 | IET-China成功成長出第一支4吋銻化銦晶棒 |
| 2015年 3月 | IET-US於Arapho, Richardson三廠建廠完成。MBE-11開始生產磷化銦磊晶片 |
| 2015年 4月 | IET-US榮獲多項美國政府計畫開發多片大尺寸銻化鎵紅外線偵測器磊晶技術 |
| 2015年 5月 | IET-China 廠成功長出第一支5吋銻化銦晶棒 |
| 2015年 8月 | IET-US與H公司成功開發出先進InP HBT技術並進行量產交貨 |
| 2015年12月 | IET-China工廠開發出低摻雜濃度(<1E15 cm-3)的5吋InSb晶棒 |
| 2016年 2月 | 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債全數轉換 |
| 2016年 3月 | A公司第一次完成6吋InP HBT完整製程，使用的是IET-US 提供的磊晶片 |
| 2016年 7月 | IET-US 成功開發出高均勻性(<3 nm) 6吋面射型雷射(VCSEL) |
| 2016年 9月 | IET-US Ridgemont, Allen新廠破土，開始興建 70,000 平方尺廠房 |
| 2016年 10月 | E公司使用IET-US 量產之InP PIN推出56Gbps Data Center 高速元件 |
| 2017年 1月 | IET-China開始第二生產線進行2，3，4吋銻化鎵基板拉晶 |
| 2017年 1月 | US Allen二廠租約延長至Allen新廠完工 |
| 2017年 2月 | IET-US 5吋銻化鎵基板開始量產，完成6吋銻化銦基板開發 |
| 2017年 4月 | IET-US Ridgemont, Allen新廠道路(Ridgemont Drive)擴建開工 |
| 2017年 9月 | IET-China廠成功長出第一支n+銻化鎵晶棒 |
| 2017年 12月 | IET-US Ridgemont Allen新廠廠房完工,開始搬遷MBE及 拉晶機台 |
| 2018年 2月 | B公司完成1.5-2µm InP生物辨識雷射製程，使用的是IET-US 提供的磊晶片 |
| 2018年 3月 | 日本一APD 團隊使用IET-US 磊晶片獲得該公司Device Innovation Center award |
| 2018年 3月 | 與法商Riber簽署合作協議，開發下世代MBE量產機台 |
| 2018年 10月 | B公司使用IET-US 提供的GaSb磊晶片進行開發2-2.4µm生物辨識雷射製程 |
| 2019年 1月 | C公司成功開發超高速無線光通器件，製程使用IET-US 提供的6吋砷化鎵磊晶片 |
| 2019年 3月 | IET-US突破磷化銦雷射波長限制，推出超長波長磊晶片 |
| 2019年 6月 | 與R公司簽署合作協議，開發MBE氮化鎵磊晶片及量產機台 |
| 2019年 9月 | 與美S公司簽署合作，開發下世代高密度面射型雷射(VCSEL)磊晶片 |
| 2020年 1月 | 與美公司合作開發1.3 µm面射型雷射(VCSEL)磊晶片 |
| 2020年 3月 | 與H公司簽署約，裝置in situ金屬蒸鍍機台，共同開發下世代InP HBT技術 |
| 2020年 7月 | IET-IR榮獲美國政府計畫研發車用氮化鎵高功率元件MBE磊晶技術 |
| 2020年 10月 | IET-US完成組裝MBE氮化鎵磊晶量產機台，投入研發生產 |
| 2020年12月 | IET-US 取得美O公司訂單供應銻化鎵MBE研發機台，共同開發磊晶產品 |
| 2021年 4月 | 法商Riber交付IET-US 一台MBE8000 8x6吋量產機台，目前世界最大MBE設備 |
| 2021年 5月 | IET-US全體員工完成COVID-19新冠疫苗注射，公司對外界客戶有限開放 |
| 2021年 9月 | 與R公司簽署合作協議，開發7x6吋MBE氮化鎵磊晶量產機台 |
| 2021年 10月 | IET-IR榮獲美國政府(空軍)二期計畫研發銻化鎵紅外線偵測器磊晶技術 |
| 2022年 4月 | IET-US與美E公司合作開發砷化鎵基板摻氮1.3 µm面射型雷射(VCSEL)磊晶片 |
| 2022年 5月 | P公司使用IET-US提供的8吋氮化鎵二次磊晶片，成功開發高頻GaN HEMT器件 |
| 2022年 8月 | IET-IR榮獲美國政府(陸軍)計畫研發短波長紅外線崩潰偵測器(APD)磊晶技術 |
| 2022年 9月 | IET-US與 Q公司簽署協議，購買5台7x6吋MBE機台、1台4x6吋MBE機台 |
| 2023年 3月 | IET-IR榮獲美國政府(空軍)二期追加計畫研發銻化鎵紅外線偵測器磊晶技術 |
| 2023年6月 | IET-US 開始研發生產IET-200 MBE(1x200mm, 4x4in) 機台 |
| 2023年10月 | MBE生長控制軟件(NOVA)交付外界客戶開始使用 |
| 2023年12月 | 收購與Riber共同完成研發之MBE8000 8x6吋量產機台，投入生產 |
| 2024年 3月 | IET-US通過美國晶片法案pre-application，獲得邀請提出full application |
由高永中博士率領的技術團隊融合了曾服務於德州儀器（TI），美國太空總署(NASA)，及貝爾實驗室等科技菁英，以多年經驗的分子束磊晶（MBE）技術，從事化合物半導體磊晶片製造之代工服務。公司經營管理穩健保守，人事穩定，經營績效逐年成長。
公司生產之化合物半導體磊晶片，產品性能需經過半導體晶圓製程、封裝才得以應用於無線通訊、衛星通訊、光纖通訊、夜視鏡、保全監控、太空、軍事、生物醫學、資料傳輸、雲端試算、資料儲存等應用。因此生產及研發團隊成員須有紮實的固態物理、電機、光電、化工、材料等基本學術底蘊，加上對於真空技術，MBE磊晶技術，晶圓製程，封裝技術等業界實務經驗才能構建堅實的產品與研發專業實力。
董事會成員皆為現職或有實務經驗之執行長或高階經理人，對於公司短、中、長期發展方向，皆積極參與，依其職場經驗提出公司發展之遠見，並適時協助導引公司營運方針，依公司章程賦予之職務對公司監督，以保障投資人及員工之權益。
PhD in E.E., University of California, Los Angeles
MS in E.E., Texas A&M University
BS in Physics, National Tsing-Hua University
Texas Instruments, Inc., Dallas, TX; Senior Member Technical Staff
職掌：執行董事會之決議對全體股東負責。擬定公司整體業務目標及執行計劃。
University of South Dakota
Texas Instruments, Inc., Dallas, TX; Technical Staff
職掌：工廠的年度生產規劃與執行。工廠運作的管理與製程改善分析。
PhD in Physics, University of California, Santa Barbara
BA in Physics, University of California, Berkeley
NASA-Jet Propulsion Laboratory, Pasadena, CA; Member of Technical Staff
Applied EPI, St. Paul, MN (acquired by Veeco Instruments); In-situ Technology Director
職掌：專案之設計計劃與執行。
MA in Accountancy, University of Illinois, Urbana Champaign
BS in Accountancy, University of Missouri-Columbia
職掌：負責集團財務會計的規劃、運作與監督。
PhD in Electrical Engineering, University of California at San Diego
BS in Electrophysics, National Chiao-Tung University, Taiwan
IQE Technology, VP of Wireless Technology, Asia
職掌：負責市場業務拓展及產品行銷企劃。
本集團主要營運地Intelligent Epitaxy Technology, Inc.之員工福利措施，除依美國聯邦政府社會安全法(Social Security Program Rules)及美國勞工法(Labor Law)相關規定辦理外，並提供員工醫療保險(Medical Insurance)、牙醫保險(Dental Insurance)、人壽保險(Life Insurance)、長、短期傷殘保險(Short-Term and Long-Term Disability Insurance)及工作傷害賠償保險(On Job Insurance)及個人退休帳戶制度(SIMPLE IRA)，以保障員工相關福利。
本集團主要營運地Intelligent Epitaxy Technology, Inc.依美國聯邦政府社會安全法(Social Security Program Rules)及聯邦醫療保險(Medicare)規定，目前按月提繳員工薪資12.4%之聯邦社會安全稅(Social Security Tax，由雇主和員工共同負擔：雇主6.2%，員工6.2%)，及2.9%之聯邦醫院/醫療保險稅(Medicare's Hospital Tax，由雇主和員工共同負擔：雇主1.45%，員工1.45%)，員工退休後可享有養老金、傷殘福利金、及聯邦醫院/醫療保險等社會安全福利。
本公司環境安全需遵照美國勞動部職業安全衛生署(OSHA, Occupational Safety & Health Administration) 之workplace health and safety standards辦理，具體措施包括：要求員工熟悉機器設備及工具的正確使用方法、員工在工作開始前均閱畢且充分瞭解有關工作的說明、有充分的工作安全裝製與配置，並加以妥善管理、依規定設置完善消防系統，員工每季實施消防訓練、各種機器設備定期檢查與保養、工作場所保持清潔並做安全衛生檢查等。