[ 產品介紹 ]

砷化鎵(GaAs) pHEMT

因具有超高頻及低雜訊特性,使其在高功率基地台,低雜訊放大器(LNA)及射頻開關(RF Switch)上佔有重要地位。pHEMT 因為砷化銦鎵(InGaAs)的加入,特別適用於RF Switch 的應用使得它未來在電腦與電腦間的無線區域網路(Wireless Local Area Network, WLAN),於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、及汽車防撞系統(Automobileradar)等應用,都有相當大的成長空間。

磷化銦(InP) HBT

能提供更低功率消耗、更佳電氣特性,因而使手機待機電壓更低、功率放大倍率更佳。更甚而之,磷化銦HBT能解決網路頻寬瓶頸,使運算產出最大化,因而加速下個世代通訊與運算架構的誕生。磷化銦HBT可應用於網路、通訊、運算、儲存、測試與量測、軍事與太空產品,它能提供40 gigabits/s (40G) 及100 gigabits/s (100G)高速類比半導體解決方案於通訊市場,及高速記憶體介面解決方案於運算市場。

紅外線光偵檢器(Infrared (IR) sensors)

在軍事用途,如目標搜尋、鎖定上,在民生用途如保全監控及夜視上,均有非常重要之功能。幾乎所有的紅外線光偵檢器或聚焦面陣列(focal plane arrays, FPA)均使用半導體材料,如II-VI族的汞鎘碲(HgCdTe, MCT)) ,IIIV族的量子井紅外線光偵檢器(quantum well infrared photodetectors, QWIP) ,和銻化鎵第二型應變層超晶格紅外線偵檢器(GaSb type II strained layer superlattice, T2SLS) 透過商業上半導體代工生產T2SLS有潛力在性能上優於MCT且在價格上遠低於MCT。

高速高頻的面射型雷射(VCSEL),光接收器(PIN),雪崩式光接收器(APD)

及各種不同波長半導體雷射磊晶片,主要應用在光纖通訊與資料傳輸領域。目前常用的光接收檢光二極體有PIN 二極體與APD(崩潰光電)二極體兩種。於低頻應用上業界有用有機金屬化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)成長磊晶片,但在高頻應用上,磊晶層的厚度與摻雜濃度之精確度的高度要求下,分子束磊晶 (MBE)成長技術遂成為首選,以達到精準的厚度與摻雜濃度之控制。例如砷化鋁銦成長在磷化銦基板上的雪崩式光接收器(InAlAs/InP APD)磊晶片,要求P型摻雜控制在10e17 cm-3範圍,目前只有MBE技術能夠達到此水準。

GaAs
  • PHEMT
    • AlAs
    • InGaP Etch Stop
  • MHEMT
InP
  • HBT
    • C-doped
    • Be-doped
    • GaAsSb
  • HEMT
  • RTT, RTD
Sb
  • Type II SLS Photodetectors
  • GaAsSb-base InP HBT
  • Epi-ready GaSb Substrates
Mis-matched Epi
  • III-V on Si
  • III-V on Ge
  • High In content InGaAs on Si
Opto-electronics
  • APD (Avalanche Photo Diode)
  • Lasers (750nm to 1100nm)
  • VCSEL
  • PIN (GaAs, InP)
  • QWIP
  • Modulators
  • Quantum Cascade Lasers