[ 關於英特磊 ]

公司簡介

誠信為本 海納百川

豐富的MBE磊晶成長經驗,結合專利的智慧型即時監控系統,使IntelliEPI獲得客戶的肯定,以參與尖端技術研發,提升技術,領先群倫。

英特磊科技由高永中博士率領曾服務於德州儀器公司(TI),美國太空總署(NASA),及貝爾實驗室等科技菁英,以Intelligent Epitaxy Technology Inc. 為名,於1999成立於美國達拉斯。以多年累積的分子束磊晶(MBE)成長經驗技術,從事化合物半導體磊晶片製造之代工服務。

目前公司主要產品為砷化鎵(GaAs)微電子磊晶片,磷化銦(InP)微電子磊晶片,銻化鎵紅外線材料及磊晶片(GaSb),光電元件磊晶片(VCSEL, PIN, APD, laser) 廣泛應用於無線通訊,衛星通訊,光纖通訊,夜視鏡,保全監控,太空,軍事,生物醫學,資料傳輸,雲端試算,資料儲存等應用。其中多項產品均與世界頂尖公司從事尖端技術開發,公司營收也逐年穩定成長。

公司於 2011改組成立IntelliEPI Inc.(Cayman)為控股公司,Intelligent Epitaxy Technology Inc.則為美國子公司,另外同時成立美國、中國、日本孫公司,以強化客戶服務,降低材料採購成本,朝向全球化、全方位發展,以尖端科技材料製造服務領導者爲業界做出貢獻。

公司沿革

日期 集團及公司沿革之重要記事
1999年 1月 IET-US開始營業, 主要營業項目為高附加值假型高電子遷移電晶體(pHEMT), 異質接面雙極電晶體(HBT), 以及用於光纖通訊之磊晶片
1999年 4月 IET-US完成無塵室建置與2台Riber-49型(4片x4吋晶圓)分子束磊晶機台(MBE)之安裝
2000年 2月 IET-US建置業界第一台成長含磷磊晶片之多晶圓量產型分子束磊晶機台(MBE),以生產磷化銦異質接面雙極電晶體(InP HBT)磊晶片
2000年 8月 Vitesse Semi公司使用IET-US成長之4吋磷化銦磊晶片, 成功生產出第一顆商用積體電路
2001年 6月 IET-US建置新廠房於Richardson, Texas, USA
2002年 2月 IET-US榮獲2001/2002年間世界最大的III-V半導體公司, Vitesse Semi公司, 頒發2001年度最佳供應商獎(其後於2002, 2003, 2004年亦獲此殊榮)
2002年 8月 IET-US榮獲美國政府計劃以開發高速IC發展所需之磷化銦異質接面雙極電晶體(InP HBT)磊晶片
2003年 9月 IET-US建置世界最大之多晶圓量產型分子束磊晶機台(MBE, 7片x6吋晶圓),達到月產能10,000片4吋磊晶片
2004年 5月 IET-US與Vitesse Semi公司合作製造出世界上最快的磷化銦異質接面雙極電晶體(InP HBT)積體電路(InP HBT IC)達到400 GHz (Ft and Fmax)
2004年 7月 IET-US成功通過M/A-COM公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為合格供應商
2006年 5月 IET-US成功通過A公司假型高電子遷移電晶體(pHEMT)產品認證,成為唯一的合格供應商
2007年 2月 IET-US獲得ISO 9001- 2000品質管理系統認證
2009年 1月 IET-US榮獲美國政府計劃以分子束磊晶(MBE)技術開發III-V半導體紅外線偵測磊晶結構
2009年12月 成立IET-China於中國天津市以開發銻化鎵/銻化銦晶體成長與2吋/3吋銻化鎵/銻化銦磊晶等級基板
2009年 4月 IET-China成功做出銻化鎵/銻化銦磊晶等級基板提供母公司以MBE成長紅外線磊晶片
2009年12月 IET-US成功以分子束磊晶(MBE)技術成長III-V半導體紅外線偵測磊晶結構
2010年10月 成立IET-Japan以服務主要客戶
2010年10月 IET-US榮獲美國政府計劃以開發尖端銻化鎵紅外線偵測磊晶結構於大尺寸基板
2010年11月 IET-US通過美國知名手機晶片大廠主要GaAs PHEMT 產品認證
2011年 1月 IET-US榮獲2010年世界最大的III-V半導體整合設計製造公司A公司,頒發2010年度最佳供應商獎(假型高電子遷移電晶體(pHEMT)準時供應,零缺點,優良客戶支援服務)
2011年 3月 IET-US MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過14GHz可靠度測試
2011年 4月 成立本公司作為集團之控股公司
2011年 7月 IET-US承租在Allen, Texasㄧ個大面積無塵室做為二廠之用
2011年 9月 IET-China成功成長出第一支4吋銻化鎵晶棒
2011年12月 IET-US取得H公司的認證
2012年 5月 與H公司簽訂長期供貨合約
2012年 6月 MBE成長高速面射型雷射(VCSEL)通過28GHz可靠度測試
2012年10月 US-Allen二廠成功長出第一支4吋銻化鎵晶棒
2013年 7月 本公司於台灣第一上櫃
2013年 8月 成功自行開發銻化鎵基板拉晶、研磨、拋光技術
2013年12月 與法商Soitec簽署合作協議,包含技術授權及生產機台的轉讓
2014年 2月 IET-US承租在Richardson, Texas三廠作為新基板材料開發之用
2014年 7月 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債
2014年 9月 IET-US簽署並完成與法國SOITEC公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約
2014年 9月 IET-US購買位於美國德州Allen市用於增建廠房土地
2014年11月 IET-US簽署並完成與A公司砷化鎵MBE部門有關砷化鎵MBE事業及機台移轉合約
2015年 1月 IET-China成功成長出第一支4吋銻化銦晶棒
2015年 3月 IET-US於Arapho, Richardson三廠建廠完成。MBE-11開始生產磷化銦磊晶片
2015年 4月 IET-US榮獲多項美國政府計畫開發多片大尺寸銻化鎵紅外線偵測器磊晶技術
2015年 5月 IET-China 廠成功長出第一支5吋銻化銦晶棒
2015年 8月 IET-US與H公司成功開發出先進InP HBT技術並進行量產交貨
2015年12月 IET-China工廠開發出低摻雜濃度(<1E15 cm-3)的5吋InSb晶棒
2016年 2月 發行總額新台幣3億元國內第一次無擔保公司債全數轉換
2016年 3月 A公司第一次完成6吋InP HBT完整製程,使用的是IET-US 提供的磊晶片

管理團隊

由高永中博士率領的技術團隊融合了曾服務於德州儀器(TI),美國太空總署(NASA),及貝爾實驗室等科技菁英,以多年經驗的分子束磊晶(MBE)技術,從事化合物半導體磊晶片製造之代工服務。主要技術團隊成員合計逾100年的產業經驗,公司經營管理穩健保守,人事穩定,經營績效逐年成長。

公司生產之化合物半導體磊晶片,產品性能需經過半導體晶圓製程、封裝才得以應用於無線通訊、衛星通訊、光纖通訊、夜視鏡、保全監控、太空、軍事、生物醫學、資料傳輸、雲端試算、資料儲存等應用。因此生產及研發團隊成員須有紮實的固態物理、電機、光電、化工、材料等基本學術底蘊,加上對於真空技術,MBE磊晶技術,晶圓製程,封裝技術等業界實務經驗才能構建堅實的產品與研發專業實力。

董事會成員皆為現職或有實務經驗之執行長或高階經理人,對於公司短、中、長期發展方向,皆積極參與,依其職場經驗提出公司發展之遠見,並適時協助導引公司營運方針,依公司章程賦予之職務對公司監督,以保障投資人及員工之權益。

執行長兼總經理: 高永中 博士

PhD in E.E., University of California, Los Angeles
MS in E.E., Texas A&M University
BS in Physics, National Tsing-Hua University
Texas Instruments, Inc., Dallas, TX; Senior Member Technical Staff
執掌:執行董事會之決議對全體股東負責。擬定公司整體業務目標及執行計劃。

處長: Joseph R. Thomason

Texas Instruments, Inc., Dallas, TX; Senior Technical Staff
United States Marine Corps (USMC); Technical Staff
Certified Safety and Health Official (CSHO)
職掌:協助進行機種導入與設計變更。

技術副總: Paul Pinsukanjana

PhD in Physics, University of California, Santa Barbara
BA in Physics, University of California, Berkeley
NASA-Jet Propulsion Laboratory, Pasadena, CA; Member of Technical Staff
Applied EPI, St. Paul, MN (acquired by Veeco Instruments); In-situ Technology Director
職掌:專案之設計計劃與執行。

營運副總: Kevin Vargason

University of South Dakota
Texas Instruments, Inc., Dallas, TX; Technical Staff
職掌:工廠的年度生產規劃與執行。工廠運作的管理與製程改善分析。

科技副總: Jenn-Ming Kuo

PhD in E.E., Rutgers University
BS in Physics, National Central University, Taiwan
Bell Labs, Lucent Technologies (Formerly AT&T), Murray Hill, NJ; Member of Technical Staff
職掌:負責開發新產品或新製程。

財務長: 王家齊 (George Wang)

MA in Accountancy, University of Illinois, Urbana Champaign
BS in Accountancy, University of Missouri-Columbia
職掌:負責集團財務會計的規劃、運作與監督。

員工福利

員工福利措施

本集團主要營運地Intelligent Epitaxy Technology, Inc.之員工福利措施,除依美國聯邦政府社會安全法(Social Security Program Rules)及美國勞工法(Labor Law)相關規定辦理外,並提供員工醫療保險(Medical Insurance)、牙醫保險(Dental Insurance)、人壽保險(Life Insurance)、長、短期傷殘保險(Short-Term and Long-Term Disability Insurance)及工作傷害賠償保險(On Job Insurance)及個人退休帳戶制度(SIMPLE IRA),以保障員工相關福利。

退休制度與實施情形

本集團主要營運地Intelligent Epitaxy Technology, Inc.依美國聯邦政府社會安全法(Social Security Program Rules)及聯邦醫療保險(Medicare)規定,目前按月提繳員工薪資12.4%之聯邦社會安全稅(Social Security Tax,由雇主和員工共同負擔:雇主6.2%,員工6.2%),及2.9%之聯邦醫院/醫療保險稅(Medicare's Hospital Tax,由雇主和員工共同負擔:雇主1.45%,員工1.45%),員工退休後可享有養老金、傷殘福利金、及聯邦醫院/醫療保險等社會安全福利。

董事會成員皆為現職或有實務經驗之執行長或高階經理人,對於公司短、中、長期發展方向,皆積極參與,依其職場經驗提出公司發展之遠見,並適時協助導引公司營運方針,依公司章程賦予之職務對公司監督,以保障投資人及員工之權益。

公司另提供個人退休金帳戶度制度(SIMPLE IRA),若員工每月提撥薪資的6%至其退休金帳戶,本公司則相對存入3%;員工可自由選擇加入公司挑選合作的退休帳戶券商專戶,自行安排投資規劃,員工提撥的金額可由申報所得裡扣除,直到年滿59.5歲後提領時再納入課稅。

工作環境

員工工作環境與人身安全保護措施

本公司環境安全需遵照美國勞動部職業安全衛生署(OSHA, Occupational Safety & Health Administration) 之workplace health and safety standards辦理,具體措施包括:要求員工熟悉機器設備及工具的正確使用方法、員工在工作開始前均閱畢且充分瞭解有關工作的說明、有充分的工作安全裝製與配置,並加以妥善管理、依規定設置完善消防系統,員工每季實施消防訓練、各種機器設備定期檢查與保養、工作場所保持清潔並做安全衛生檢查等。