[ 最新消息 ]

  • 2017年3月24日 2016年年度營運報告法人說明會 本公司將於3月29日下午2:30pm召開2016年年度營運報告法人說明會, 地點於南港中信金融大樓B棟16樓1602會議室, 台北市南港區經貿二路188號16樓。
  • 2016年11月23日 富邦證券舉辦之2016年第四季產業論壇 本公司將於11月25日14:00~14:50參加富邦證券舉辦之2016年第四季產業論壇, 地點於台北六福萬怡酒店(台北市南港區忠孝東路7段359號9樓)。
  • 2016年11月1日 2016年第3季例行性業績發表會 本公司將於11月11日下午2:30pm召開2016年第3季例行性業績發表會, 地點於南港中信金融大樓B棟16樓1602會議室, 台北市南港區經貿二路188號16樓。
  • 2016年8月24日 香港商野村國際證券舉辦之Asia Tech Tour 本公司獲邀參加由香港商野村國際證券舉辦之Asia Tech Tour,地點:野村國際證券台北辦公室 (台北市松智路1號17樓),時間: 2016年8月24日上午9:00~10:00。
  • 2016年8月18日 Morgan Stanley舉辦之"Taiwan Discovery Forum: Auto 2.0"投資座談會 本公司獲邀參加由Morgan Stanley舉辦之"Taiwan Discovery Forum: Auto 2.0"投資座談會, 地點:台灣摩根士丹利證券股份有限公司 (台北市敦化南路二段207號22樓),時間: 2016年8月18日下午16:30~17:30。
  • 2016年8月16日 第一金證券舉辦之2016Q3投資座談會 本公司獲邀參加由第一金證券舉辦之2016Q3投資座談會, 時間: 2016年8月16日下午15:45~17:15, 地點:第一金證券總公司7樓會議室 (台北市中山區長安東路1段22號7樓)
  • 2016年5月24日 富邦證券舉辦之2016年年度投資論壇 本公司將於5月26日9:00~17:50參加富邦證券舉辦之2016年年度投資論壇, 地點於台北君悅酒店(台北市信義區松壽路2號)。
  • 2016年5月10日 2016年第1季例行性業績發表會 本公司將於5月12日下午2:30pm召開2016年第1季例行性業績發表會, 地點於南港中信金融大樓B棟16樓1602會議室, 台北市南港區經貿二路188號16樓。
  • 2016年3月31日 2015年第4季例行性業績發表會 本公司將於3月31日下午2:30pm召開2015年第4季例行性業績發表會, 地點於南港中信金融大樓B棟16樓1602會議室, 台北市南港區經貿二路188號16樓。
  • 2016年3月23日 2016 國票證券 H1 投資論壇 本公司獲邀參加國票證券舉辦 之2016 國票證券 H1 投資論壇, 時間: 2016/3/24, 10:30am~12:00am, 地點: 晶華酒店4F萬象廳(台北市中山北路二段39巷3號4F)
  • 2016年3月18日 2016度第一季富邦產業論壇 本公司獲邀參加富邦證券舉辦之 2016度第一季富邦產業論壇, 時間: 2016/3/18, 11:10am~12:00am, 地點: 台北遠東國際大飯店 (台北市敦化南路201號B1)。
  • 2016年3月1日 犇亞證券2016春季投資論壇 本公司獲邀參加犇亞證券舉辦之2016春季投資論壇, 時間: 2016/3/3, 14:00~15:00, 地點: 犇亞國際會議中心 (台北市復興北路99號6樓或15樓,捷運南京復興站旁)。
  • 2015年11月4日 2015年第3季例行性業績發表會 本公司將於11月12日下午2:30pm召開2015年第3季例行性業績發表會, 地點於南港中信金融大樓B棟16樓, 台北市南港區經貿二路188號16樓。
  • 2015年8月11日 8/13櫃買市場業績發表會 F-IET 受邀參加櫃買市場業績發表會,時間為8/13下午2點,於台北花園大酒店2樓國際廳(地址:台北市中華路二段1號2樓)舉行。
  • 2015年5月8日 2015年第一季業績發表會 本公司將於5月8日下午2:30pm召開2015年第一季業績發表會, 地址為台北市經貿二路188號16F, 1602會議室(南港中信金融大樓B棟)。
  • 2015年3月26日 2014年年度業績發表會 本公司將於3月26日下午2:30pm召開2014年年度業績發表會, 地址為台北市經貿二路168號16F, 1603會議室(中信南港經貿園區A棟)。
  • 2014年12月15日 投資展望說明會 本公司將於12/17(星期三)早上 10:00~10:50參加由統一證券舉辦的2015年揚眉吐氣投資展望說明會,
    地點於台北君悅大飯店(台北市松壽路2號)。
  • 2014年11月10日 業績發表會 本公司將於11月12日下午2:30pm召開2014年第3季例行性業績發表會,
    地點於台北市松壽路3號12樓, 中國信託銀行總行大樓。
  • 2014年09月29日 英特磊科技取得法國Soitec公司特殊電子事業部的砷化鎵磊晶事業
    位於法國Bernin的Soitec公司(泛歐證券交易所,Euronext,掛牌),以製造創新的半導體材料領先世界,於2014年9月29日宣布將其位於法國 Villejust 的特殊電子材料事業部的砷化鎵(GaAs)事業出售予位於美國德州Richardson的Intelligent Epitaxy Technology公司(母公司F-IET,櫃買中心股票代號4971),磷化銦(InP)ヽ砷化鎵(GaAs)ヽ銻化鎵(GaSb)電子與光電應用磊晶片專業代工領導廠商。

    此次交易係延續雙方於2013年12月12日之合作協議,包含(1)技術移轉部分:目前已完成技轉與客戶產品認證,成功切入歐洲市場,(2)生產機台轉讓:為此次合約重點,新機台加入量產後,可有效降低生產成本,提高生產效能。

    英特磊科技高永中總經理表示,這項交易將使英特磊擴大客戶涵蓋領域,並切入砷化鎵關鍵應用市場如汽車防撞雷達技術等。同時新取得的機台產能也將使英特磊提供所有客戶更優質的產品與服務。

    Soitec 公司資深副總裁兼Soitec通信及電力事業總經理Bernard Aspar也表示,出售砷化鎵磊晶片事業給英特磊,反映出Soitec公司2015年五年計劃中推動重新聚焦電子事業部於主要產品之決心。

    關於英特磊科技公司
    英特磊科技於1999年成立於美國德州Richardson,主要提供化合物半導體磊晶片產品予電子與光電產業,公司應用其擁有多項美國專利之即時生產監控系統於分子束磊晶片生產機台(MBE) ,以成長磊晶片於砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵基板,更多資訊請上公司網站 www.intelliepi.com
    投資人關係-美國 投資人關係-台灣
    George Wang 范振隆
    +1-972-234-0068 Ex. 106 (02)2837-1206 Ex. 103
    investors@intelliepi.com orson.fan@intelliepi.com
    關於Soitec公司

    Soitec公司是一個國際性製造公司,創造與生產應用於尖端能源與電子的革命性半導體材料之領導廠商。公司產品包括微電子基板 (最主要為SOI, Silicon on Insulator) 與聚光型太陽能電池系統(CPV) ,公司的核心技術為Smart Cut™ヽ Smart Stacking™ ヽ Concentrix™以及磊晶技術。應用領域包括消費性移動電子ヽ微電子驅動ITヽ通訊ヽ車用電子ヽ照明ヽ大規模發電廠。Soitec有製造廠與研發中心於法國ヽ新加坡ヽ德國以及美國,更多資訊請上公司網站 www.soitec.com.

    國際媒體中心
    International Media Contacts
    (trade press)
    Camille Dufour : +33 (0)6 79 49 51 43
    camille.dufour@soitec.com
    (business press)
    Marylen Schmidt : +33 (0)6 21 13 66 72
    marylen.schmidt@soitec.com
    投資人關係
    Investor Relations
    Olivier Brice : +33 (0)4 76 92 93 80
    olivier.brice@soitec.com
  • 2014年8月6日 業績發表會 本公司將於8月13日下午2:30pm召開2014年第2季例行性業績發表會,
    地點於台北市松壽路3號21樓, 中國信託銀行總行大樓
  • 2014年3月31日 業績發表會 本公司受財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心邀請,參加4月3日(星期四, 14:00)於期交所大會堂
    (地址:台北市羅斯福路二段100號6樓)
    舉辦之業績發表會,會中將報告2013年業績與2014年展望。
  • 2014年1月13日 台北辦公室搬遷 英特磊科技股份有限公司(F-IET)台北辦公室由於租約到期, 自103年1月13日起自復興北路舊址搬遷至新址,
    台北市士林區德行西路33號5樓(天母經貿大樓, 近芝山捷運站),
    Tel: 02-2837-1206(代表號), Fax: 02-2837-1606,
    我們將在新址繼續為各位服務.
  • 2013年12月13日 Soitec與英特磊科技合作協議

    法國Soitec公司與英特磊科技美國子公司進行了合作協議,以進一步服務砷化鎵GaAs )磊晶市場。

    位於法國Bernin的Soitec公司(泛歐證券交易所,Euronext,掛牌),以製造創新的半導體材料領先世界,與美國德州Richardson英特磊科技公司(母公司F-IET,4971),磷化銦〈InP〉、砷化鎵,銻化鎵 (GaSb)光電應用磊晶片專業代工廠,於12月12日簽署一項合作協議,以進一步服務砷化鎵磊晶市場。

    雙方表示,這種合作夥伴關係可滿足客戶尋求可信賴的第二產品供應商的需求,同時也可讓彼此公司在各自的砷化鎵產品領域保持領先地位,客戶也可受惠於較低價與優質的磊晶片供應來源。該合作協議包括Soitec對英特磊科技技術授權,讓英特磊科技擁有擴展市場的機會,合作協議也包含生產機台的轉讓。

    我們很高興宣布對英特磊技術授權提供我們的主要客戶第二供應商來源"Bernard Aspar,資深副總裁兼Soitec通信及電力事業總經理對合作案表達上述意見。

    這項合作協議將加強我們的砷化鎵技術和產品知識,同時也提供Soitec客戶穩固的產品供應鏈"英特磊科技高永中總經理也作了上述表示。

    砷化鎵,是元素鎵和砷的化合物,屬III-V族半導體,應用在微波頻率積體電路,單片微波積體電路,紅外發光二極體,雷射二極體,太陽能電池和光窗器件的製造材料中。砷化鎵也常被作為對其它III-V族半導體包括砷化銦鎵和GaInNAs磊晶生長的基板材料。

    有關Soitec公司,請詳公司網站:www.soitec.com

    國際媒體聯絡
    » 貿易新聞 Camille Darnaud-Dufour +33 (0)6 79 49 51 43 camille.darnaud-dufour@soitec.com
    » 商業新聞 Marylen施密特 +33 (0)4 76 92 87 83 marylen.schmidt@soitec.com
    投資者關係 Olivier Brice +33 (0)4 76 92 93 80 olivier.brice@soitec.com
  • 2013年11月7日 第三季例行性法人說明會 本公司將於2013年11月15日於台北市松壽路3號, 中國信託總行大樓21樓, 舉辦第三季例行性法人說明會, 報告102年第3 季財務數字與第4 季展望。
  • 2012年8月1日 英特磊科技與美國高頻量測儀器主要製造商簽訂長期供貨合約 英特磊科技很榮幸獲得美國財富前百大、科技量測儀器主要製造商,數百萬美元之多年長期獨家供貨合約,提供專用MBE機台生產尖端磊晶片產品,與配合研發關鍵高頻元件,爲兩家公司開啟長遠合作之歷史新頁。
  • 2012年2月16日 銻化鎵(GaSb)基板開發計畫 英特磊科技開始大尺寸銻化鎵(GaSb)基板開發計畫,本計劃由美國國防部提供資金給本公司,進行4吋(及以上)之大尺寸銻化鎵(GaSb)晶體成長技術,並改進磊晶級單晶片研磨拋光技術,以達更高平坦度。本公司規畫利用在德州亞力士市(Allex, Texas)的新廠房建置所需之設備。
  • 2011年12月1日 新安裝先進分子束磊晶(MBE)機台 英特磊科技購買自Riber的先進分子束磊晶(MBE)機台(7片6吋)已完成安裝,本機台將強化本公司在pHEMT產品的量產能力,並提供機台生產、維修之靈活性。
  • 2011年8月12日 獲得熱影像開發計畫 英特磊科技很榮幸獲得美國國防部合約,提供資金開發尖端紅外線材料技術,供應下個世代熱影像應用產品所需,本計畫將持續到2014年8月。
  • 2011年7月1日新廠擴充於德州亞力士市 英特磊科技於德州亞力士市全新啟用8,500平方英尺新廠,廠內包含100級無塵室及全套配備之實驗室空間,規劃在此新廠進行大尺寸銻化鎵(GaSb)單晶生長,與磊晶級單晶片研磨拋光生產,新廠的啟用將對本公司的營運與發展提供重要的後援。
  • 2011年2月10日 英特磊科技榮獲Skyworks Solutions公司2010年供應商獎 英特磊科技很榮幸獲得Skyworks Solutions公司2010年供應商獎,表彰本公司對該公司Woburn 晶圓廠供應pHEMT磊晶片,所提供即時與完美的服務做出的貢獻。該獎項於1月11日在加州Newport Beach舉辦的年度供應商日研討會頒發。本公司已成為智慧型手機與行動通訊元件領域的領導廠商之一。
  • 2010年11月22日 英特磊科技於日本成立技術服務中心 英特磊科技於日本成立技術服務中心(IntelliEPI Japan, Ltd.),以強化對需求強勁的日本市場之技術服務。